SK하이닉스는 2026년 2월 25일 이사회에서 용인 반도체 클러스터 1기 팹(반도체 생산공장) 완공 및 클린룸 페이즈 2~6기 건설에 **21조 6081억 원**을 투자하기로 의결하고 공시했습니다. 이 투자 기간은 2026년 3월 1일부터 2030년 12월 31일까지로, 2024년 7월 발표한 9조 4000억 원을 포함해 1기 팹 총 투자액은 약 **31조 원**에 달합니다.

**투자 배경**으로는 AI 반도체·메모리 수요 급증에 선제 대응하고 공급 체계를 강화하기 위함입니다. 국가첨단전략산업법에 따른 용적률 완화(1.4배)와 물가 상승을 반영해 클린룸 면적이 확대됐으며, 장비 도입 비용은 별도입니다.

용인 클러스터는 처인구 원삼면 416만㎡ 규모로, SK하이닉스가 4개 최첨단 팹을 건설하며 총 600조 원 투자를 단계적으로 진행할 계획입니다. 이번 투자를 통해 50여 개 협력사와 상생 생태계를 구축하고 국가 반도체 경쟁력을 강화하겠다고 밝혔습니다.